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上海化学试剂价格图文信息
发布时间:2019-01-22 11:04浏览次数:

  最近小编可是整理了好多关于上海化学试剂价格图文信息的资料,下面小编就分享一下心得。本发明此外供给适用于单晶硅片表面治理用的制绒剂的配制方法,包涵(1)将重量百分含量为0.5-10%的NaOH和3_9%的异丙醇溶于去离子水中,读取碱性制绒液,(2)将本发明增加剂参与步骤(1)中的碱性制绒液中,获取制绒剂,其中所述增加剂与制绒液的重量比为2-5100。本发明应用于单晶硅片表面解决用的制绒剂的配制方法,包含(1)将重量百分含量为1.的NaOH和6%的异丙醇溶于去离子水中,获取碱性制绒液,(2)将本发明增加剂参与步骤(1)中的碱性制绒液中,获取制绒剂,其中所述增添剂与制绒液的重量比为2-5100。

  [0019]通过上述技术计划,本发明通过在制绒工艺的预治理中,先经过碱预治理,再经过酸制绒,使硅表面的油污、杂质去除,也降低了产品在酸制绒时的工艺时间,达成加强硅的表面制绒品质、延长酸腐蚀槽的使用寿命和利于生产的目的。【具体执行方式】[0020]下面对本发明实施例中的技术方针执行清楚、完整地形容。[0021]本发明供给了多晶硅电池制绒工艺,其机制是通过在制绒工艺的预治理中,先经过碱预治理,再经过酸制绒,使硅表面的油污、杂质去除,也降低了产品在酸制绒时的工艺时间,抵达提升硅的表面制绒品质、延长酸腐蚀槽的使用寿命和利于生产的目的。用25°C去离子水喷淋清洗多晶硅片表面60s,以去除多晶硅片表面的喷砂液;[0092]2)将I)治理后的多晶硅片彻底浸入酸性制绒液中90s,制绒液温度为8°C,使多晶硅片表面形成绒面,用25°C去离子水喷淋清洗多晶硅片表面60s,以去除多晶硅片表面的酸性制域液;[0093]所述酸性制绒液为与的混合溶液,其中,的浓度为65g/L,的浓度为430g/L;[0094]3)将2)解决后的多晶硅片完完全全浸入品质浓度5%的氢氧化钾溶液中60s,解决温度为25°C,以去除多晶硅片表面的多孔硅及残留的酸性制绒液,用25°C去离子水喷淋清洗多晶硅片表面60s,以去除多晶硅片表面的碱洗液;[0095]4)将3)解决后的多晶硅片彻底浸入酸洗液中60s,治理温度为25°C,以去除多晶硅片表面的金属离子及残留碱洗液,用25°C去离子水喷淋清洗多晶硅片表面60s,以去除多晶硅片表面的酸洗液;[0096]所述酸洗液为和盐酸的混合溶液,其中,的浓度为60g/L,盐酸的浓度为g/L;[0097]5)将4)解决后的多晶硅片用40°C压缩空气吹扫多晶硅片表面20s,测试反射率为23%,绒面形貌如图6所示,可以看出:进行例1常

  上海化学试剂价格图文信息,[0036]在该方法中,金属粒子拥有催化影响,催化的产生是硅表面局部存在电化学反应,其中H202和部分金属离子作阴极,H202+2H++2eT-2H20,同时金属离子变成金属单质颗粒;而暴露的硅作为阳极,在硅表面沉积的金属颗粒会聚集氧化性的离子,从这里优先鼓舞氧化反应起首,Si+2H20-Si02+4H++4e、[0037]Si02+6HF-H2SiF6+2H20;Si+6HF-H2SiF6+4H++4e、[0038]总反应为Si+H202+6HF-H2SiF6+4H20。

  [0024]本发明的有帮助效能是:[0025]本发明可以完完全全根除金刚线切割多晶硅片后多晶硅片表面的切割纹,通过控制研磨或喷砂参数可以灵活地控制多晶硅片表面损伤层形貌,使制绒后的多晶硅片绒面更匀称、反射率更低。【附图说明】[0026]图1是执行例1中多晶硅片经常规制绒后的扫描电子显微镜图;[0027]图2是实施例5化学试剂切割后表面的扫描电子显微镜图;[0028]图3是多晶硅片经实施例5研磨治理后的表面扫描电子显微镜图;[0029]图4是实例5中多晶硅片经本发明方法制绒后的扫描电子显微镜图。

  7.如权利要求6所述的一种应用于单晶硅片碱制绒的制绒剂,其特点在于所述氢氧化钠质地百分含量为1.5%。8.—种单晶硅片碱制绒的方法,其特性在于蕴含如下步骤将太阳能电池用单晶硅片浸入到权利要求6的制绒剂中执行制绒,制绒时,温度控制在7585°C,制绒时间为1518min。全文摘要本发明决定于一种适用于单晶硅片碱制绒的增添剂及其使用方法,属于太阳能电池生产技术领域。增加剂由以下组分配制而成乙醇胺、聚磷酸盐、十二烷基苯磺酸钠、氢氧化钠、水。

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